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Ne doit pas être confondu avec zRam.
La Z-RAM (Zero-capacitor Random Access Memory) est un type de mémoire DRAM développé par Innovative Silicon[1].
Selon ses promoteurs, une mémoire Z-RAM serait aussi rapide qu'une mémoire SRAM tout en étant plus compacte étant donné qu'elle n'utiliserait qu'un transistor (sans condensateur) pour stocker un bit d'information. La taille de la cellule est plus petite que celle de la SRAM[2], mais devrait être un peu moins rapide[2].
- Réservé aux abonnés, sur le site digitimes.com
- Hynix va utiliser la mémoire dynamique Z-RAM, sur le site presence-pc.com